掠入射质子荧光分析技术研究
  • 【摘要】

    首次报道采用掠入射质子荧光分析(PIXE)方法对表面存在污染的铝片、注入铁离子的单晶硅片以及注入氧隔离SOI半导体材料进行了分析.实验结果表明,现有PIXE分析技术不需要对设备做任何重大的升级改造,只是简单的采用掠入射方法,就能有效提高其表面分析的灵敏度.通过研究不同角度时峰面积与探测限之比与穿透深度之间的关系,得出质子束在样品中的穿透深度越浅,峰面积与探测限的比值就越大,可检测的表面污染的灵敏度... 展开>>首次报道采用掠入射质子荧光分析(PIXE)方法对表面存在污染的铝片、注入铁离子的单晶硅片以及注入氧隔离SOI半导体材料进行了分析.实验结果表明,现有PIXE分析技术不需要对设备做任何重大的升级改造,只是简单的采用掠入射方法,就能有效提高其表面分析的灵敏度.通过研究不同角度时峰面积与探测限之比与穿透深度之间的关系,得出质子束在样品中的穿透深度越浅,峰面积与探测限的比值就越大,可检测的表面污染的灵敏度就越高. 收起<<

  • 【作者】

    李红日  王广甫  梁琨  杨茹  韩德俊 

  • 【作者单位】

    北京师范大学低能核物理研究所,100875

  • 【会议名称】

    第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

  • 【会议时间】

    2008-07-15

  • 【会议地点】

    乌鲁木齐

  • 【主办单位】

    中国核学会中国电子学会

  • 【语种】

    chi

  • 【关键词】

    掠入射  痕量分析  质子荧光分析  单晶硅片  半导体材料  表面分析  表面污染