氮化硼薄膜退火诱导相变的红外光谱研究
  • 【摘要】

    本研究利用射频溅射法在Si(100)衬底上制备了纯六方相(h-BN)和以正交相(E-BN)为主相的两组氮化硼薄膜,对其进行600~1000℃的N2保护退火,通过傅里叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变.h-BN向立方氮化硼(c-BN)的最佳退火诱导相变温度为900℃,在此温度下,制备出了立方相含量接近100%的氮化硼薄膜,并且对相变路径与机理进行了探索性的讨论.

  • 【作者】

    张晓康  邓金祥  姚倩  汪旭洋  陈光华  贺德衍 

  • 【作者单位】

    北京工业大学应用数理学院,北京

  • 【会议名称】

    第十五届全国分子光谱学学术会议

  • 【会议时间】

    2008-10-18

  • 【会议地点】

    泉州

  • 【主办单位】

    中国光学学会   中国化学会

  • 【语种】

    chi

  • 【关键词】

    氮化硼薄膜  薄膜结构  可逆相变  红外光谱