TaC坩埚制备及在AlN单晶生长中的应用
  • 【摘要】

    采用物理气相传输法(PVT法)生长AlN体单晶的温度高达2200℃,生长过程中存在腐蚀性Al蒸汽,对所用坩埚材料的稳定性和寿命要求极高.TaC具有高熔点、耐腐蚀和性质稳定等优点,是PVT法生长AlN晶体的理想坩埚材料.本文研究了高温碳化处理Ta坩埚制备TaC坩埚的工艺技术,分析了TaC坩埚的组分均匀性、碳化过程和机理,探讨了制备优质TaC坩埚和延长坩埚使用寿命的途径.

  • 【作者】

    杨俊  董志远  胡炜杰  段满龙  赵有文 

  • 【作者单位】

    中国科学院半导体研究所,北京市912信箱,北京

  • 【会议名称】

    第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

  • 【会议时间】

    2008-11-30

  • 【会议地点】

    广州

  • 【主办单位】

    中国电子学会   广州市科协

  • 【语种】

    chi

  • 【关键词】

    单晶生长  物理气相传输法  坩埚材料  碳化处理