微波等离子体增强化学气相沉积生长SiOX薄膜研究
  • 【摘要】

    利用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长了SiOx 薄膜,研究了亚氧化硅薄膜在经过250℃,400℃ , 600℃,900℃和1100℃真空退火后的发光性能.利用AFM 表征了材料的表面形貌,材料的表面粗糙度非常小;利用 傅立叶变换红外吸收光谱研究了成键模式;利用光致发光谱研究了发光性能.结果表明随着退火温度的增加,紫外 发光峰的发光强度先增大后减小;并且该峰有蓝移现象,但是在900℃以上高温退火... 展开>>利用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长了SiOx 薄膜,研究了亚氧化硅薄膜在经过250℃,400℃ , 600℃,900℃和1100℃真空退火后的发光性能.利用AFM 表征了材料的表面形貌,材料的表面粗糙度非常小;利用 傅立叶变换红外吸收光谱研究了成键模式;利用光致发光谱研究了发光性能.结果表明随着退火温度的增加,紫外 发光峰的发光强度先增大后减小;并且该峰有蓝移现象,但是在900℃以上高温退火后,峰位保持稳定.带隙宽度随 着退火温度的增加先增加后减小.在低温(250℃,400℃)真空退火后,不稳定的氢键首先断裂;在高温退火下, 发生了相分离过程. 收起<<

  • 【作者】

    郝小鹏  王宝义  李道武  马创新  魏龙 

  • 【作者单位】

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京

  • 【会议名称】

    第十届固体薄膜会议

  • 【会议时间】

    2006-10-27

  • 【会议地点】

    苏州

  • 【主办单位】

    中国电子学会

  • 【语种】

    chi

  • 【关键词】

    光致发光  微波等离子体增强  化学气相沉积  亚氧化硅薄膜  表面形貌