四元混晶InGaAsP应变量子阱在组分和压力调制下的能带转型
  • 【摘要】

    @@引言: 四元混晶半导体材料具有两个独立的组分变量,同二元和三元材料相比,其晶格常数、禁带宽度和介电常数等物理性质可以通过改变混晶中各元素的组分比而更方便地人为改变.正因为如此,四元混晶半导体材料近年来倍受科研工作者的青睐.

  • 【作者】

    张院生  郭子政 

  • 【作者单位】

    内蒙古师范大学物理与电子信息学院,呼和浩特,010022

  • 【会议名称】

    第十七届全国半导体物理学术会议

  • 【会议时间】

    2009-08-16

  • 【会议地点】

    长春

  • 【主办单位】

    中国物理学会

  • 【语种】

    chi

  • 【关键词】

    四元混晶  半导体材料  压力调制  能带转型  应变量子阱