反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨
  • 【摘要】

    FPGA器件在武器和空间电子系统中应用越来越广泛,器件选择是实现系统抗辐射加固的有效方法之一因此,针对器件选择进行FPGA器件γ剂量率辐射效应规律研究具有重要意义。本文选用ACTEL公司的A1020B、A1460A和A42MX16三种反熔丝FPGA芯片进行γ剂量率辐照效应规律试验研究。三种反熔丝FPGA芯片分别为1.Oμm, 0.8μm和0.45μmCMOS工艺,均通过VHDL语言编程设计为数值延... 展开>>FPGA器件在武器和空间电子系统中应用越来越广泛,器件选择是实现系统抗辐射加固的有效方法之一因此,针对器件选择进行FPGA器件γ剂量率辐射效应规律研究具有重要意义。本文选用ACTEL公司的A1020B、A1460A和A42MX16三种反熔丝FPGA芯片进行γ剂量率辐照效应规律试验研究。三种反熔丝FPGA芯片分别为1.Oμm, 0.8μm和0.45μmCMOS工艺,均通过VHDL语言编程设计为数值延时电路工作模式进行辐照试验研究。 收起<<

  • 【作者】

    赵洪超  朱小锋  杜川华  袁国火 

  • 【作者单位】

    中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳919信箱522分箱,621900

  • 【会议名称】

    四川省电子学会2009年学术年会

  • 【会议时间】

    2009-09-24

  • 【会议地点】

    成都

  • 【主办单位】

    中国电子学会   四川省电子学会

  • 【语种】

    chi

  • 【关键词】

    集成电路  FPGA器件  辐射效应  电磁兼容