功率VDMOS集成ESD防护设计
  • 【摘要】

    针对功率VDMOS薄栅介质决定着其静电敏感性这一特点,建立了功率VDMOS器件的ESD瞬态模型,分析了功率VDMOS不同的抗ESD结构.结合华润华晶的工艺能力,提出采用集成多晶二极管结构实现功率VDMOS器件ESD保护的方案.该方案解决了ESD防护结构的设计与现有功率VDMOS工艺的兼容问题,成功研制出VESD大于4 000 V的功率VDMOS产品.

  • 【作者】

    魏峰  何飞  李泽宏  唐红祥  计建新 

  • 【作者单位】

    无锡华润华晶微电子有限公司,江苏无锡

  • 【会议名称】

    2010年全国半导体器件技术研讨会

  • 【会议时间】

    2010-07-01

  • 【会议地点】

    杭州

  • 【主办单位】

    中国半导体行业协会

  • 【语种】

    chi

  • 【关键词】

    纵向双扩散金属氧化物半导体  静电损伤  人体静电模型  薄栅介质  防护结构