GAP:N,ZN中等电子陷阱与ZN受主之间的辐射复合
  • 【摘要】

    该文在17-100K的温度范围内对GaP:N,Zn样品进行了变温光致发光的研究.在低温下,观察到NN_3-Zn,Zn-LO的发光峰,其中NN_3-Zn是一个双峰结构.研究NN_1-Zn复合发光强度随温度的变化关系,表明了NN_1中心裸电子态的存在.本工作证实了NN_1和NN_3中心的HTL模型.

  • 【作者】

    余琦  张勇  郑健生  颜炳章 

  • 【作者单位】

    厦门大学物理系

  • 【刊期】

    半导体学报 ISTIC EI PKU 1989年9期

  • 【关键词】

    GAP:N  ZN  光致发光  束缚激子  GAP:N  ZN  PHOTOLUMINESCENCE  BOUND EXCITON 

  • 【基金项目】

    国家自然科学基金