优质AL_XGA_(1-X)AS/GAAS(X≤0.6)SAM-APD超晶格结构的MBE生长
  • 【摘要】

    该文描述了采用VARIAN GENⅡMBE系统,和VA-175型砷裂解炉,以及5个"9"的铍作P型掺杂剂,严格仔细地控制外延生长过程,成功地制备了优质的AL_XGA_(1-X)AS/GAAS(X≤0.6)SAM-APD超晶格结构外延材料.倍增层P-AL_(0.6)GA_(0.4)AS的载流子浓度低达2.3*10~(14)CM~(-3)电子与空穴离化率的比值为25.0.此材料用于制作超晶格雪崩光电探... 展开>>该文描述了采用VARIAN GENⅡMBE系统,和VA-175型砷裂解炉,以及5个"9"的铍作P型掺杂剂,严格仔细地控制外延生长过程,成功地制备了优质的AL_XGA_(1-X)AS/GAAS(X≤0.6)SAM-APD超晶格结构外延材料.倍增层P-AL_(0.6)GA_(0.4)AS的载流子浓度低达2.3*10~(14)CM~(-3)电子与空穴离化率的比值为25.0.此材料用于制作超晶格雪崩光电探测器,器件性能有显著的提高.在初始光电流I_(PO)=100NA下,反向偏压为80伏得到的内部雪崩增益为1900,计算分析最大雪崩倍增因子高达6050. 收起<<

  • 【作者】

    林耀望 

  • 【作者单位】

    国家光电子工艺中心集成光电子学国家实验室中国科学院半导体研究所 北京

  • 【刊期】

    半导体学报 ISTIC EI PKU 1993年11期

  • 【关键词】

    倍增因子  外延生长  雪崩光电探测器  MBE生长  反向偏压  AIGAAS  外延材料  超晶格结构