掺金单晶硅特性的研究
  • 【摘要】

    该文研究单晶硅掺金前后的表面光伏和红外吸收谱,证实在相同表面状况下,红外吸收谱的基线与少子扩散长度的对应关系;由半导体统计,推导出简并因子不等于1时扩金硅的统计公式,以及金受主简并因子GAU,≠1,金施主简并因子GAU,D≠1硅双重能级复合理论公式,由此计算的少子寿命值与测量值之比在1.64-0.745之间.

  • 【作者】

    陈敏锐  沈华  刘士毅 

  • 【作者单位】

    厦门大学物理系/厦门大学物理系 厦门

  • 【刊期】

    物理学报 ISTIC SCI PKU 1992年3期

  • 【关键词】

    少子扩散长度  红外吸收谱  单晶硅  金受主能级  少子寿命  掺金 

  • 【基金项目】

    国家自然科学基金