铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究
  • 【摘要】

    利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积A-SI薄膜,采用铝诱导晶化法(AIC)在氮气气氛下进行快速退火处理制备出POLY-SI薄膜.研究了不同的热处理条件对A-SI薄膜微观结构、表面形貌的影响,通过XRD、RAMAN、SEM等测试手段对薄膜的结构、形貌进行表征.结果表明:铝膜的厚度为1 μM时,在450 ℃下退火10 MIN,薄膜样品开始向POLY-SI薄膜转变,并且随着退火温度的升高和退火时间的... 展开>>利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积A-SI薄膜,采用铝诱导晶化法(AIC)在氮气气氛下进行快速退火处理制备出POLY-SI薄膜.研究了不同的热处理条件对A-SI薄膜微观结构、表面形貌的影响,通过XRD、RAMAN、SEM等测试手段对薄膜的结构、形貌进行表征.结果表明:铝膜的厚度为1 μM时,在450 ℃下退火10 MIN,薄膜样品开始向POLY-SI薄膜转变,并且随着退火温度的升高和退火时间的增加,晶化程度加强. 收起<<

  • 【作者】

    徐慢  夏冬林  杨晟  赵修建 

  • 【作者单位】

    武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室

  • 【刊期】

    武汉理工大学学报 ISTIC PKU 2006年5期

  • 【关键词】

    铝诱导晶化  多晶硅薄膜  非晶硅薄膜 

  • 【基金项目】

    武汉理工大学校科研和教改项目(2005XJJ054)