线型和带型α-SI3N4准一维结构的形成机理和表征
  • 【摘要】

    采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-SI3N4准一维结构.其中线型α-SI3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃),而带型α-SI3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明,制备的线型和带型α-SI3N4准一维结构均为单晶;线型α-SI3N4直径约为100~300NM,长为几十微米;而带型α-SI3N4厚约... 展开>>采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-SI3N4准一维结构.其中线型α-SI3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃),而带型α-SI3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明,制备的线型和带型α-SI3N4准一维结构均为单晶;线型α-SI3N4直径约为100~300NM,长为几十微米;而带型α-SI3N4厚约30NM,宽度在300NM~2μM之间,长度为几微米到几十微米.从晶体生长热力学及动力学方面讨论了线型和带型α-SI3N4准一维结构的生长过程和分区沉积的原因.结果表明,较高的温度和过饱和度有利于形成带型准一维结构. 收起<<

  • 【作者】

    杜雪峰  祝迎春  许钫钫  杨涛  曾毅  沈悦 

  • 【作者单位】

    上海大学/中国科学院/上海大学

  • 【刊期】

    无机材料学报 ISTIC EI PKU 2009年1期

  • 【关键词】

    分区沉积  线型和带型α-SI3N4  准一维结构 

  • 【基金项目】

    国家自然科学基金(00200541103100)