巯基硅烷纳米薄膜修饰金电极测定痕量汞(Ⅱ)
  • 【摘要】

    采用3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTS)为单一硅源合成有机硅纳米材料,将其组装到金电极表面,制备MPTS薄膜修饰电极.采用原子力显微镜和透射电镜表征有机硅纳米,粒径为3.3~5.7nm;采用方波溶出伏安法测定该修饰电极对汞的响应信号.结果表明,该修饰电极对痕量汞有高灵敏响应.在0.1mol/L HCl中,于-0.4V电位下富集10min,溶出峰电流与其浓度在1.5*10-12~75.0*10-12 ... 展开>>采用3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTS)为单一硅源合成有机硅纳米材料,将其组装到金电极表面,制备MPTS薄膜修饰电极.采用原子力显微镜和透射电镜表征有机硅纳米,粒径为3.3~5.7nm;采用方波溶出伏安法测定该修饰电极对汞的响应信号.结果表明,该修饰电极对痕量汞有高灵敏响应.在0.1mol/L HCl中,于-0.4V电位下富集10min,溶出峰电流与其浓度在1.5*10-12~75.0*10-12 mol/L范围内呈线性关系,相关系数为0.9980,检出限为5.0*10-13 mol/L.该方法用于实际水样中汞的测定,与原子荧光光谱法进行比较,结果基本一致. 收起<<

  • 【作者】

    肖健林  刘建允  张鑫  廖金金 

  • 【作者单位】

    东华大学环境科学与工程学院

  • 【刊期】

    分析科学学报 ISTIC PKU 2014年1期

  • 【关键词】

    3-巯丙基三甲氧基硅烷  方波溶出伏安法    (3-Mercaptopropyl)-trimethoxysilane  Square wave stripping voltammetry  Mercury 

  • 【基金项目】

    国家自然科学基金(No.21105009) 电分析化学国家重点实验室开放课题(No.SKLEAC201205)