学科筛选

  • 3. 扩展位错低频内耗的模型

  • 【来源】

    [期刊论文] 《物理学报》1988年7期

  • 【作者】

    孔庆平  李勇 

  • 【摘要】

    该文提出面心立方合金中扩展位错引起低频内耗峰的一个模型,用来解释高浓度Cu-Al和Cu-Zn合金经过冷加工后在210K附近出现的弛豫型内耗峰(测量频率约为1Hz). 文中指出,扩展位错在外力作用下的运动,可以分解为相对运动(两...

  • 【关键词】

    扩展位错  低频内耗 

  • 7. 晶界内耗研究的新进展

  • 【来源】

    [期刊论文] 《物理学进展》2006年3期

  • 【作者】

    孔庆平  崔平  蒋卫斌  石云  方前锋 

  • 【摘要】

    由不同取向差的纯AL双晶的内耗实验观察到,不同类型晶界的弛豫参量有明显差别.用耦合模型对内耗数据的分析表明,小角度晶界内耗的基本机制是位错攀移,而大角度晶界内耗的基本机制是晶界扩散.在此基础上,对多晶中晶界内...

  • 【关键词】

    晶界  内耗  双晶  耦合模型 

年度命中数

的趋势