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  • 5. GAN单晶薄膜的湿法化学刻蚀研究

  • 【来源】

    [期刊论文] 《南昌大学学报(理科版)》1997年3期

  • 【作者】

    姚冬敏  胡恺生  江风益  范广涵 

  • 【摘要】

    MOCVD用高压汞灯对N-GAN处延层进行了辐照湿法化学刻蚀研究,这种外延层是在A12O3衬底上用MOCVD方法生长的.结果表明:在紫外光照下,N-GAN层在25%的KOH水溶液中腐蚀较有效.这种腐蚀很可能是通过紫外光增强氧化和还原反...

  • 【关键词】

    GAN  UV  刻蚀 

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