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  • 16. 半绝缘SiC单晶生长和表征

  • 【来源】

    [期刊论文] 《人工晶体学报 》2012年S1期

  • 【作者】

    宋生  胡小波  徐现刚 

  • 【摘要】

    使用升华法生长碳化硅(SiC)单晶,借助数值模拟方法优化温场,在不同条件下分别获得单一晶型的4H-SiC和6H-SiC单晶,利用拉曼光谱进行表征.采用V掺杂的方法,制备半绝缘SiC单晶,使用非接触式电阻率测试仪进行了测试,并对4H...

  • 【关键词】

    SiC单晶  升华法  数值模拟  晶型  半绝缘 

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