学科筛选

  • 3.

  • 【来源】

    [会议论文] 2012中国功能新材料学术论坛暨第三届全国电磁材料及器件学术会议 - 2012

  • 【摘要】

    When magnetic fluid lays in the magnetic field,there is interaction between magnetic fluid and magnetic field. Due to the existence of coupling between magnetic fluid and magnetic field,it is diffi

  • 5. 冲击磁场发生器的设计与应用

  • 【来源】

    [会议论文] 2012中国功能新材料学术论坛暨第三届全国电磁材料及器件学术会议 - 2012

  • 【作者】

    刘先松  蒋坤良  高尚  冯双久  阮征  王超 
  • 【摘要】

    冲击磁铁用于改变电子束的轨迹以便注入和引出,是同步加速器和电子储存环中重要部件.为了有效的偏转束流,要求冲击磁铁在很短的上升和下降时间内,产生很高的具有一定平顶宽度的脉冲磁场.随着加速器技术的进步,要求脉宽...

  • 6. 磁性流体国内外发展概况

  • 【来源】

    [会议论文] 2012中国功能新材料学术论坛暨第三届全国电磁材料及器件学术会议 - 2012

  • 【作者】

    巴特尔 
  • 【摘要】

    磁性流体是上个世纪60年代由美国科学家发明的磁性功能材料,到目前已经有俄罗斯、德国、英国、中国、印度、巴西等多个国家设有专门的机构进行研究.上个世纪的研究主要以磁性流体的制备和阻尼密封方面的研究为主,到了新...

  • 7.

  • 【来源】

    [会议论文] 2012中国功能新材料学术论坛暨第三届全国电磁材料及器件学术会议 - 2012

  • 【摘要】

    The ferroparticles alignment has been predicted by magnetic fluid's density and TEM image. Magnetic fluid's density is carried out by Gouy magnetic balance and electronic balance as shown in Fig.1.

  • 8. 钙钛矿多铁性氧化物异质结的低疲劳反转、磁电双弛豫、及缺陷调控

  • 【来源】

    [会议论文] 2012中国功能新材料学术论坛暨第三届全国电磁材料及器件学术会议 - 2012

  • 【作者】

    苗君  乔利杰  姜勇 
  • 【摘要】

    多铁性材料的研究是当前材料学领域的热点研究问题,蕴含着丰富的材料与物理研究课题,其深入研究可为新一代功能器件提供崭新的设计思路.以下简述报告人在室温多铁BiFeO3异质结取得的若干研究成果,已连续在Appl.Phys.Le...

  • 10. 垂直磁场下小尺寸磁性液体液滴分裂的实验研究

  • 【来源】

    [会议论文] 2012中国功能新材料学术论坛暨第三届全国电磁材料及器件学术会议 - 2012

  • 【作者】

    吴鹏  孙峤  徐超熙  李学慧 
  • 【摘要】

    磁性液体界面不稳定现象一直是各国磁性液体专家研究的热点之一,研究对象一直是大体积的磁性液体.本文主要研究一种特殊的磁性液体界面不稳定现象,小尺寸(直径分别为6mm、6.5mm、8mm、8.5mm、10mm)磁性液体液滴在磁场强...

  • 11.

  • 【来源】

    [会议论文] 2012中国功能新材料学术论坛暨第三届全国电磁材料及器件学术会议 - 2012

  • 【摘要】

    To reveal thermal effects on the film quality/microstructure evolution and the resulted magnetoresistance(MR) ratio in MgO/NiFe/MgO heterostructures,positron annihilation spectroscopy(PAS) studies

  • 12. Zn掺杂调控单晶外延磁性隧道结Fe/MgZnO/Fe势垒带隙宽度

  • 【来源】

    [会议论文] 2015中国功能新材料学术论坛暨第四届全国电磁材料及器件学术会议 - 2015

  • 【作者】

    王守国 
  • 【摘要】

    MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻(TMR)比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒的带隙宽度为7.8 eV,从而导致结电阻与结面积的乘积(RA)较大,成为限制其广泛应用的瓶颈之一.ZnO薄膜的带隙宽度为3.4 eV,若被...

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