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  • 15. 硅晶格微区结构特征与RAMAN谱线宽

  • 【来源】

    [期刊论文] 《光散射学报》1995年1期

  • 【作者】

    金维睦 

  • 【摘要】

    该文主要讨论半导体器件的晶格质量问题,检测评估工艺过程对基质晶格所造成的损伤程度.文中得出RAMAN线宽与格位扭曲角<θ>_(RMS)的关系,一个良好的器件,RAMAN谱半高宽应控制在3一6CM ̄(-1)以内,对应的<θ>RMS约...

  • 【关键词】

    RAMAN谱增宽  键角微区畸变均方值 

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