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  • 3. MOCVD设备中气相反应对晶体生长的影响

  • 【来源】

    [会议论文] 第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17) - 2015

  • 【作者】

    魏光华 
  • 【摘要】

    MOCVD生长半导体晶体过程中存在严重的气相化学反应,会降低源的利用率,增加系统的能耗,影响批次晶片的均匀性和所有晶片的生长质量,使得设备的重复性和稳定度难以达到要求.气象反应对生长的影响主要体现在几个方面:首先...

  • 【关键词】

    MOCVD  气相反应  衬底温度  均匀性