学科筛选

  • 2. MOSFET中1/F噪声的HOOGE参数α_H

  • 【来源】

    [期刊论文] 《成都电讯工程学院学报》1988年S2期

  • 【作者】

    彭启琮 

  • 【摘要】

    该文报道 P 沟道 MOSFET 器件中 1/f 噪声 Hooge 参数测量的部分实验结果.由加利福尼亚州的 SILICONIX 公司提供的实验样品是采用同样工艺作在同一块基片之上的.实验表明,在由非谐和状态到谐和状态过渡时,α_H 与沟道长...

  • 【关键词】

    HOOGE 参数  1/F噪声  MOSFET器件  噪声测量  沟道长度 

  • 3. 薄硅层SOI MOSFET击穿电压的二维数值分析

  • 【来源】

    [期刊论文] 《微电子学与计算机》1992年6期

  • 【作者】

    张兴  黄敞 

  • 【摘要】

    文章主要分析讨论薄层SOI(绝缘层上的硅)器件的击穿特性.采用两种载流子产生、复合作用的器件模型进行二维数值模拟的方法,揭示了薄硅层OSI MOSFET击穿电压降低是由于漏区附近电场强度增强引起的机理.,The breakdown p...

  • 【关键词】

    SOI  MOSFET  击穿电压 

  • 4. 功率VMOS器件的参数最佳化折衷

  • 【来源】

    [期刊论文] 《电讯技术》1989年2期

  • 【作者】

    潘志斌  徐国治 

  • 【摘要】

    改善功率VMCS器件设计的一个关键问题,是如何对耐压BV_(DSS)和导通电阻R_(on)进行合理的最佳化折衷.该文采用计算机辅助设计(CAD)的方法对各种可能的工艺和结构参数进行了大量计算,按照实际生产中的工艺条件进行筛选,得...

  • 【关键词】

    功率MOSFET  最佳化折衷 

  • 14. 微电子文摘

  • 【来源】

    [期刊论文] 《微电子学》1992年3期

  • 【摘要】

    叙述了一种用于逻辑/模拟混合网络的高级模拟功能模拟器,它构成目前正研究的实验性多级系统的一个级;简述了多级模拟器的结构,详述了功能模拟器.功能模拟器可用作独立的系统,但它是专门为也使用时间响应(或电压波形)的...

  • 【关键词】

    IEEE  放大器  文摘  算法  MOSFET  转换器  功能模拟器  位线  微电子  模拟功能 

  • 16. 功率MOSFET-八十年代的动力

  • 【来源】

    [期刊论文] 《微电子学》1987年5期

  • 【作者】

    DUNCAN GRANT  ALLAN TREGIDGA  喻淑伦 

  • 【摘要】

    采用垂直电流器件和使用多晶硅作栅材料,在制作功率MOSFET实用器件中起着重要的作用.随着导通电阻的降低,单元密度显著地增加.在分立晶体管元件市场,高性能的和具有价格竞争能力的MOSFET正成功地向占优势的双极器件挑战...

  • 【关键词】

    八十年代  功率MOSFET 

  • 26条记录,
  • 共2页
  • 下页
  • 末页
  • / 2跳转

年度命中数

的趋势